HSS3N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSS3N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.3 nC
Время нарастания (tr): 3.4 ns
Выходная емкость (Cd): 29 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.14 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HSS3N10 Datasheet (PDF)
..1. Size:439K huashuo
hss3n10.pdf
hss3n10.pdf
HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
