Справочник MOSFET. HSS3N10

 

HSS3N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS3N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS3N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS3N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  huashuo
 hss3n10.pdf pdf_icon

HSS3N10

HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие MOSFET... HSS3401A , HSS3402A , HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , 2N7002 , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 .

History: AM8814 | CTLDM7003-M621 | AO4938

 

 
Back to Top

 


 
.