HSS3N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS3N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS3N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS3N10 даташит

 ..1. Size:439K  huashuo
 hss3n10.pdf pdf_icon

HSS3N10

HSS3N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSS3N10 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 110 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 3 A The HSS3N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Gre

Другие IGBT... HSS3401A, HSS3402A, HSS3404A, HSS3407A, HSS3409A, HSS3414A, HSS3415E, HSS3416E, MMIS60R580P, HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134