HSS6014 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSS6014

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HSS6014 datasheet

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HSS6014

HSS6014 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSS6014 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 40 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSS6014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili

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