HSS6014 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSS6014
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de HSS6014 MOSFET
HSS6014 Datasheet (PDF)
hss6014.pdf

HSS6014 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSS6014 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 40 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSS6014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili
Otros transistores... HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , BS170 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 .
History: NCEP018N85LL | MTB50P03HDLT4 | SFP65N06 | PP4B10AS | PP4B10AK
History: NCEP018N85LL | MTB50P03HDLT4 | SFP65N06 | PP4B10AS | PP4B10AK



Liste
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MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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