HSS6014 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSS6014
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HSS6014 Datasheet (PDF)
..1. Size:1632K huashuo
hss6014.pdf
hss6014.pdf
HSS6014 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSS6014 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 40 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSS6014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
