HSS6014. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS6014

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS6014

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS6014 даташит

 ..1. Size:1632K  huashuo
 hss6014.pdf pdf_icon

HSS6014

HSS6014 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSS6014 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 40 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSS6014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili

Другие IGBT... HSS3404A, HSS3407A, HSS3409A, HSS3414A, HSS3415E, HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, AO4407A, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134