HSS6014 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSS6014 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSS6014
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS6014

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS6014 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1632K  huashuo
 hss6014.pdf pdf_icon

HSS6014

HSS6014 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSS6014 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 40 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 6 A The HSS6014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili

Другие MOSFET... HSS3404A , HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , BS170 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 .

History: PHP36N06E | MTB50P03HDLT4 | SFP65N06 | PP4B10AS | NCEP0135AK | MTB23P06VT4 | PD632BA

 

 
Back to Top

 


 
.