HSS6107 Todos los transistores

 

HSS6107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSS6107
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSS6107

 

HSS6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1565K  huashuo
hss6107.pdf

HSS6107
HSS6107

HSS6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSS6107 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 180 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -1.7 A The HSS6107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


HSS6107
  HSS6107
  HSS6107
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top