HSS6107 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSS6107 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSS6107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HSS6107

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1565K  huashuo
 hss6107.pdf pdf_icon

HSS6107

HSS6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSS6107 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 180 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -1.7 A The HSS6107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... HSS3407A , HSS3409A , HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , HSS6014 , IRFB7545 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 .

History: RU1H35Q | VSE005N03MS | IPB080N03L | P6010DTFG | AUIRF8739L2 | OSS60R099JF | HSSC3134

 

 
Back to Top

 


 
.