Справочник MOSFET. HSS6107

 

HSS6107 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSS6107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.6 nC
   Время нарастания (tr): 5.4 ns
   Выходная емкость (Cd): 59 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для HSS6107

 

 

HSS6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1565K  huashuo
 hss6107.pdf

HSS6107 HSS6107

HSS6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSS6107 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 180 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -1.7 A The HSS6107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP3P090N

 

 
Back to Top