HSS6107. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS6107

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS6107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS6107 даташит

 ..1. Size:1565K  huashuo
 hss6107.pdf pdf_icon

HSS6107

HSS6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSS6107 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 180 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -1.7 A The HSS6107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие IGBT... HSS3407A, HSS3409A, HSS3414A, HSS3415E, HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, HSS6014, 60N06, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139