Справочник MOSFET. HSS6107

 

HSS6107 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSS6107
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS6107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1565K  huashuo
 hss6107.pdf pdf_icon

HSS6107

HSS6107 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSS6107 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON RDS(ON),max 180 m and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. ID -1.7 A The HSS6107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability appr

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SPD07N60C3 | BSC032N03SG | AP01N40G-HF | BF964S | CEB05N8 | FDBL86210-F085 | OSG65R760DF

 

 
Back to Top

 


 
.