HSSC3139 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSSC3139

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: SOT723

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HSSC3139 datasheet

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HSSC3139

HSSC3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSC3139 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 400 m converter applications. ID -0.65 A The HSSC3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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HSSC3139

HSSC3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSC3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),max 370 m power switching and load switch applications. ID 0.77 A The HSSC3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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