HSSC3139 Todos los transistores

 

HSSC3139 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSSC3139
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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HSSC3139 Datasheet (PDF)

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HSSC3139

HSSC3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSC3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 400 m converter applications. ID -0.65 A The HSSC3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:722K  huashuo
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HSSC3139

HSSC3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSC3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),max 370 m power switching and load switch applications. ID 0.77 A The HSSC3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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History: OSG65R380KSF | 2N5020 | OSG65R580FEF | CEU06N7 | SL11N65CK | SSM3K03TE | DMF7N65

 

 
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