Справочник MOSFET. HSSC3139

 

HSSC3139 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSSC3139
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
 

 Аналог (замена) для HSSC3139

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSC3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  huashuo
hssc3139.pdfpdf_icon

HSSC3139

HSSC3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSC3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 400 m converter applications. ID -0.65 A The HSSC3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:722K  huashuo
hssc3134.pdfpdf_icon

HSSC3139

HSSC3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSC3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),max 370 m power switching and load switch applications. ID 0.77 A The HSSC3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие MOSFET... HSS3414A , HSS3415E , HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , IRFP064N , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A .

History: PMZB390UNE | CJ3415 | SIHFI840GLC | PMCXB900UEL | AP4409AGEM | SFF25P20S2I-02 | FTK1N60T

 

 
Back to Top

 


 
.