HSSC3139. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSSC3139

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для HSSC3139

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSC3139 даташит

 ..1. Size:746K  huashuo
 hssc3139.pdf pdf_icon

HSSC3139

HSSC3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSC3139 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 400 m converter applications. ID -0.65 A The HSSC3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:722K  huashuo
 hssc3134.pdf pdf_icon

HSSC3139

HSSC3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSC3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),max 370 m power switching and load switch applications. ID 0.77 A The HSSC3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие IGBT... HSS3414A, HSS3415E, HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, AO4468, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A