HSSK6303 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSSK6303

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: SOT363

 Búsqueda de reemplazo de HSSK6303 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSSK6303 datasheet

 ..1. Size:1108K  huashuo
 hssk6303.pdf pdf_icon

HSSK6303

HSSK6303 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSSK6303 from WILLAS provide the best combination of fast switching,low on-resistance RDS(ON),typ 340 m and cost-effectiveness. The HSSK6303 meet the RoHS and Green Product ID 0.5 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available Super Low Gate C

Otros transistores... HSS3415E, HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, IRF730, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026