HSSK6303 Todos los transistores

 

HSSK6303 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSSK6303
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSSK6303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  huashuo
 hssk6303.pdf pdf_icon

HSSK6303

HSSK6303 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSSK6303 from WILLAS provide the best combination of fast switching,low on-resistance RDS(ON),typ 340 m and cost-effectiveness. The HSSK6303 meet the RoHS and Green Product ID 0.5 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available Super Low Gate C

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History: VBZE50P03 | IPB60R190C6 | FCH20N60

 

 
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