Справочник MOSFET. HSSK6303

 

HSSK6303 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSSK6303
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для HSSK6303

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSK6303 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1108K  huashuo
 hssk6303.pdf pdf_icon

HSSK6303

HSSK6303 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSSK6303 from WILLAS provide the best combination of fast switching,low on-resistance RDS(ON),typ 340 m and cost-effectiveness. The HSSK6303 meet the RoHS and Green Product ID 0.5 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available Super Low Gate C

Другие MOSFET... HSS3415E , HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , BS170 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 .

History: QM6016S | GSM6520S | IPB038N12N3G | HM2318A | IPB60R190C6 | NVJS4405N | DH850N10E

 

 
Back to Top

 


 
.