HSSK6303. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSSK6303

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для HSSK6303

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSK6303 даташит

 ..1. Size:1108K  huashuo
 hssk6303.pdf pdf_icon

HSSK6303

HSSK6303 Dual N-ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSSK6303 from WILLAS provide the best combination of fast switching,low on-resistance RDS(ON),typ 340 m and cost-effectiveness. The HSSK6303 meet the RoHS and Green Product ID 0.5 A requirement with full function reliability approved. Green Device Available Super Low Gate C

Другие IGBT... HSS3415E, HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, IRF730, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026