HSSK8811 Todos los transistores

 

HSSK8811 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSSK8811
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSSK8811 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  huashuo
 hssk8811.pdf pdf_icon

HSSK8811

HSSK8811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSK8811 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -1.5 A The HSSK8811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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History: SDF9N100JEC-D | DMN2170U | KF907 | K4059 | SIF4N80C | SSF7508 | STP4410

 

 
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