Справочник MOSFET. HSSK8811

 

HSSK8811 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSSK8811
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для HSSK8811

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSK8811 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:937K  huashuo
 hssk8811.pdf pdf_icon

HSSK8811

HSSK8811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSK8811 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -1.5 A The HSSK8811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие MOSFET... HSS3416E , HSS3N10 , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , IRFZ44N , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 .

History: LSE80R680GT | IXTK120N25P | STD100N03LT4 | SSM6P15FU | STW75N60M6 | HGP059N08A | SWN7N65K2

 

 
Back to Top

 


 
.