HSSK8811. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSSK8811

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для HSSK8811

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSK8811 даташит

 ..1. Size:937K  huashuo
 hssk8811.pdf pdf_icon

HSSK8811

HSSK8811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSK8811 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -1.5 A The HSSK8811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие IGBT... HSS3416E, HSS3N10, HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, IRFZ44N, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048