HSSK8811 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSSK8811
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.1 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm
Тип корпуса: SOT363
HSSK8811 Datasheet (PDF)
hssk8811.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HSSK8811 Dual P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSK8811 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small power switching RDS(ON),typ 115 m and load switch applications. ID -1.5 A The HSSK8811 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![HSSK8811](https://alltransistors.com/images/us.png)
![HSSK8811](https://alltransistors.com/images/es.png)
![HSSK8811](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C