HSSN3134 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSSN3134

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: SOT323

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HSSN3134 datasheet

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HSSN3134

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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HSSN3134

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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