Справочник MOSFET. HSSN3134

 

HSSN3134 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSSN3134
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для HSSN3134

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSN3134 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  huashuo
hssn3134.pdfpdf_icon

HSSN3134

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

 7.1. Size:642K  huashuo
hssn3139.pdfpdf_icon

HSSN3134

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSS3N10 , HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , IRF3205 , HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 .

History: AFN3030 | GSM8483 | P3606NEA | FDS4770 | AOI514 | SM9992DSQG | RJK5002DPD

 

 
Back to Top

 


 
.