HSSN3139 Todos los transistores

 

HSSN3139 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSSN3139
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.63 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

 Búsqueda de reemplazo de HSSN3139 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSSN3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  huashuo
 hssn3139.pdf pdf_icon

HSSN3139

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:617K  huashuo
 hssn3134.pdf pdf_icon

HSSN3139

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Otros transistores... HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , IRF740 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 .

History: SLF8N60C | AM8N25-550D | IXTM6N60 | CJQ4459 | BRF8N80 | SFS130N06GF | AON7462

 

 
Back to Top

 


 
.