HSSN3139 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSSN3139
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для HSSN3139
HSSN3139 Datasheet (PDF)
hssn3139.pdf

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
hssn3134.pdf

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability
Другие MOSFET... HSS4002 , HSS6014 , HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , IRF740 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 .
History: NCEP01T13D | GSM8987 | SFF840
History: NCEP01T13D | GSM8987 | SFF840



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312