Справочник MOSFET. HSSN3139

 

HSSN3139 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSSN3139
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для HSSN3139

 

 

HSSN3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  huashuo
 hssn3139.pdf

HSSN3139 HSSN3139

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:617K  huashuo
 hssn3134.pdf

HSSN3139 HSSN3139

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AOD418

 

 
Back to Top