HSSN3139. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSSN3139

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.63 Ohm

Тип корпуса: SOT323

Аналог (замена) для HSSN3139

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSSN3139 даташит

 ..1. Size:642K  huashuo
 hssn3139.pdf pdf_icon

HSSN3139

HSSN3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSSN3139 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),Max 630 m converter applications. ID -0.5 A The HSSN3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:617K  huashuo
 hssn3134.pdf pdf_icon

HSSN3139

HSSN3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSSN3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),Max 200 m power switching and load switch applications. ID 1.0 A The HSSN3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие IGBT... HSS4002, HSS6014, HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, IRF740, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139