HSST3139 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSST3139
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSST3139

HSST3139 Datasheet (PDF)

..1. Size:707K huashuo
hsst3139.pdf

HSST3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSST3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 230 m converter applications. ID -1.0 A The HSST3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

7.1. Size:684K huashuo
hsst3134.pdf

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

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Liste

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