HSST3139 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSST3139

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: SOT523

 Búsqueda de reemplazo de HSST3139 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSST3139 datasheet

 ..1. Size:707K  huashuo
 hsst3139.pdf pdf_icon

HSST3139

HSST3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSST3139 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 230 m converter applications. ID -1.0 A The HSST3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:684K  huashuo
 hsst3134.pdf pdf_icon

HSST3139

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Otros transistores... HSS6107, HSSC3134, HSSC3139, HSSK6303, HSSK8811, HSSN3134, HSSN3139, HSST3134, 20N60, HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241