Справочник MOSFET. HSST3139

 

HSST3139 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSST3139
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для HSST3139

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSST3139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  huashuo
hsst3139.pdfpdf_icon

HSST3139

HSST3139 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSST3139 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 230 m converter applications. ID -1.0 A The HSST3139 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 7.1. Size:684K  huashuo
hsst3134.pdfpdf_icon

HSST3139

HSST3134 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSST3134 is the high cell density trenched VDS 20 V N-ch MOSFETs, which provides excellent RDSON and efficiency for most of the small RDS(ON),typ 280 m power switching and load switch applications. ID 0.9 A The HSST3134 meets the RoHS and Green Product requirement with full function reliability

Другие MOSFET... HSS6107 , HSSC3134 , HSSC3139 , HSSK6303 , HSSK8811 , HSSN3134 , HSSN3139 , HSST3134 , 20N60 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 .

History: SI1308EDL | 2SK2050 | 1N65G-TA3-T | NTMFD4C87N | UTM4052L-S08-R | SUD50N04-05L | AFN4172S

 

 
Back to Top

 


 
.