HSU0139 Todos los transistores

 

HSU0139 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU0139
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HSU0139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  huashuo
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HSU0139

HSU0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSU0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:760K  huashuo
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HSU0139

HSU0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU0115 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 78 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -18 A The HSU0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Otros transistores... HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , IRFP460 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 .

History: IRFS723 | IPB180N08S4-02 | ME70N03S-G | IXFT86N30T | DH400P06F

 

 
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