HSU0139 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

HSU0139 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU0139

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO252

Búsqueda de reemplazo de HSU0139 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

HSU0139 datasheet

..1. Size:847K huashuo
hsu0139.pdf pdf_icon

HSU0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSU0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

9.1. Size:760K huashuo
hsu0115.pdf pdf_icon

HSU0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU0115 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 78 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -18 A The HSU0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Otros transistores... HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, IRF640, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006

HSU0139 Todos los transistores