HSU0139. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU0139

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU0139

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU0139 даташит

 ..1. Size:847K  huashuo
 hsu0139.pdf pdf_icon

HSU0139

HSU0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSU0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:760K  huashuo
 hsu0115.pdf pdf_icon

HSU0139

HSU0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU0115 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 78 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -18 A The HSU0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие IGBT... HSSN3139, HSST3134, HSST3139, HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, IRF640, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006