Справочник MOSFET. HSU0139

 

HSU0139 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU0139
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU0139

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU0139 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  huashuo
 hsu0139.pdf pdf_icon

HSU0139

HSU0139 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU0139 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 42 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -30 A The HSU0139 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

 9.1. Size:760K  huashuo
 hsu0115.pdf pdf_icon

HSU0139

HSU0115 P-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU0115 uses advanced trench MOSFET VDS -100 V technology to provide excellent RDS(ON) and gate RDS(ON),typ 78 m charge for use in a wide variety of other applications. ID -18 A The HSU0115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSSN3139 , HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , IRFP460 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 .

History: STD3NM60-1 | RQJ0306FQDQS | AM7001P | APT8024B2FLLG | 2SJ313 | SIA914ADJ | PK610SA

 

 
Back to Top

 


 
.