HSU100P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU100P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 105 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 19 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 989 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0053 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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HSU100P03 Datasheet (PDF)
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HSU100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 4 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSU100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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