HSU100P03 Todos los transistores

 

HSU100P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU100P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 989 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSU100P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  huashuo
 hsu100p03.pdf pdf_icon

HSU100P03

HSU100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 4 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSU100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109

 

 
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