HSU100P03 Todos los transistores

 

HSU100P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU100P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 989 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de HSU100P03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSU100P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  huashuo
 hsu100p03.pdf pdf_icon

HSU100P03

HSU100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 4 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSU100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Otros transistores... HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , IRF1404 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 .

History: IPD031N03L

 

 
Back to Top

 


 
.