Справочник MOSFET. HSU100P03

 

HSU100P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU100P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 989 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU100P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU100P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  huashuo
 hsu100p03.pdf pdf_icon

HSU100P03

HSU100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 4 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSU100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSST3134 , HSST3139 , HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , IRF1404 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 .

History: SWP7N65K | AO4453 | L2N60I

 

 
Back to Top

 


 
.