Справочник MOSFET. HSU100P03

 

HSU100P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU100P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 989 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0053 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU100P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1549K  huashuo
 hsu100p03.pdf pdf_icon

HSU100P03

HSU100P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU100P03 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),typ 4 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -100 A The HSU100P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TPC8221-H | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV | IRLML9301TRPBF | MTM23227 | RU7550S | AUIRFZ34N

 

 
Back to Top

 


 
.