HSU12N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU12N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU12N10 datasheet

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HSU12N10

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

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HSU12N10

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Otros transistores... HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, IRFB4110, HSU150N03, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, HSU3016, HSU3018B