HSU12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSU12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU12N10

HSU12N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:523K huashuo
hsu12n10.pdf

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

9.1. Size:541K huashuo
hsu1241.pdf

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

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Liste

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