HSU12N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU12N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU12N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU12N10 даташит

 ..1. Size:523K  huashuo
 hsu12n10.pdf pdf_icon

HSU12N10

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

 9.1. Size:541K  huashuo
 hsu1241.pdf pdf_icon

HSU12N10

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие IGBT... HSU0004, HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, IRFB4110, HSU150N03, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, HSU3016, HSU3018B