HSU12N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSU12N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSU12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU12N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  huashuo
 hsu12n10.pdf pdf_icon

HSU12N10

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

 9.1. Size:541K  huashuo
 hsu1241.pdf pdf_icon

HSU12N10

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие MOSFET... HSU0004 , HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , IRF640N , HSU150N03 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B .

History: STS9NF3LL

 

 
Back to Top

 


 
.