Справочник MOSFET. HSU12N10

 

HSU12N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSU12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.4 nC
   Время нарастания (tr): 3 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HSU12N10

 

 

HSU12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:523K  huashuo
 hsu12n10.pdf

HSU12N10 HSU12N10

HSU12N10 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 100 V The HSU12N10 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),TYP 93 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 12 A applications . The HSU12N10 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

 9.1. Size:541K  huashuo
 hsu1241.pdf

HSU12N10 HSU12N10

HSU1241 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU1241 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 16.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 40 A The HSU1241 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top