HSU150N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU150N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 23 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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HSU150N03 Datasheet (PDF)
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HSU150N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU150N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2.4 m buck converter applications. ID 150 A The HSU150N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
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