HSU150N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSU150N03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 23 ns
Выходная емкость (Cd): 480 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO252
HSU150N03 Datasheet (PDF)
..1. Size:660K huashuo
hsu150n03.pdf
hsu150n03.pdf
HSU150N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU150N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2.4 m buck converter applications. ID 150 A The HSU150N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
