HSU150N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU150N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU150N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU150N03 даташит

 ..1. Size:660K  huashuo
 hsu150n03.pdf pdf_icon

HSU150N03

HSU150N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU150N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2.4 m buck converter applications. ID 150 A The HSU150N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие IGBT... HSU0018A, HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, IRF640N, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, HSU3016, HSU3018B, HSU3031