Справочник MOSFET. HSU150N03

 

HSU150N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU150N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU150N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU150N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:660K  huashuo
 hsu150n03.pdf pdf_icon

HSU150N03

HSU150N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU150N03 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),typ 2.4 m buck converter applications. ID 150 A The HSU150N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function

Другие MOSFET... HSU0018A , HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , IRF630 , HSU16N25 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B , HSU3031 .

History: FQD12P10TF | IXTA28P065T

 

 
Back to Top

 


 
.