HSU16N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU16N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU16N25 datasheet

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HSU16N25

HSU16N25 N-Ch 250V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 250 V The HSU16N25 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 250 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 16 A applications. The HSU16N25 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

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