HSU16N25 Todos los transistores

 

HSU16N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU16N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSU16N25 Datasheet (PDF)

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HSU16N25

HSU16N25 N-Ch 250V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 250 V The HSU16N25 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 250 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 16 A applications. The HSU16N25 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMOS44N80 | DMP1096UCB4 | AM2336N-T1 | G11 | CEF05N6

 

 
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