HSU16N25 Todos los transistores

 

HSU16N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU16N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 149 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de HSU16N25 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSU16N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  huashuo
 hsu16n25.pdf pdf_icon

HSU16N25

HSU16N25 N-Ch 250V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 250 V The HSU16N25 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 250 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 16 A applications. The HSU16N25 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

Otros transistores... HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , 10N60 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B , HSU3031 , HSU3103 .

History: 2SK1579 | APT50M85B2VR | RJK0854DPB | AM4520H | BUK7J1R0-40H | APT8090AN | CEM6426

 

 
Back to Top

 


 
.