Справочник MOSFET. HSU16N25

 

HSU16N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU16N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU16N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU16N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:987K  huashuo
 hsu16n25.pdf pdf_icon

HSU16N25

HSU16N25 N-Ch 250V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 250 V The HSU16N25 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 250 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 16 A applications. The HSU16N25 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

Другие MOSFET... HSU0026 , HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , 10N60 , HSU18N20 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B , HSU3031 , HSU3103 .

History: HUFA76429P3 | AOB266L | STP10NK70ZFP | AOC2414 | FTK7N65F | PZD502CYB | 40N06

 

 
Back to Top

 


 
.