HSU16N25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU16N25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 149 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU16N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU16N25 даташит

 ..1. Size:987K  huashuo
 hsu16n25.pdf pdf_icon

HSU16N25

HSU16N25 N-Ch 250V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 250 V The HSU16N25 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 250 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 16 A applications. The HSU16N25 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS g

Другие IGBT... HSU0026, HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, IRFP260N, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, HSU3016, HSU3018B, HSU3031, HSU3103