HSU18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HSU18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 45 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 109 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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HSU18N20 Datasheet (PDF)

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hsu18n20.pdf

HSU18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 200 V The HSU18N20 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 170 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 18 A applications. The HSU18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

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Liste

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