HSU18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU18N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HSU18N20 MOSFET
HSU18N20 Datasheet (PDF)
hsu18n20.pdf

HSU18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 200 V The HSU18N20 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 170 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 18 A applications. The HSU18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua
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History: AM3454N | SIR492DP | PNM523T703E0-2 | 4N65B | 4N60B | HM3205D | AFP2303A
History: AM3454N | SIR492DP | PNM523T703E0-2 | 4N65B | 4N60B | HM3205D | AFP2303A



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