HSU18N20 Todos los transistores

 

HSU18N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU18N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 109 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSU18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2347K  huashuo
 hsu18n20.pdf pdf_icon

HSU18N20

HSU18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 200 V The HSU18N20 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 170 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 18 A applications. The HSU18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

Otros transistores... HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , IRF3710 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B , HSU3031 , HSU3103 , HSU3903 .

History: IPI120P04P4-04 | IXFH22N60P | JCS7N80BH

 

 
Back to Top

 


 
.