Справочник MOSFET. HSU18N20

 

HSU18N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU18N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2347K  huashuo
 hsu18n20.pdf pdf_icon

HSU18N20

HSU18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 200 V The HSU18N20 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 170 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 18 A applications. The HSU18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

Другие MOSFET... HSU0048 , HSU0115 , HSU0139 , HSU100P03 , HSU1241 , HSU12N10 , HSU150N03 , HSU16N25 , IRF3710 , HSU20N15A , HSU3006 , HSU3014 , HSU3016 , HSU3018B , HSU3031 , HSU3103 , HSU3903 .

History: AFN2318 | SIR172DP | SWT45N65K2 | F11S80C3 | 2SK3058-S | FTK10N65F | IXFR80N50Q3

 

 
Back to Top

 


 
.