HSU18N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU18N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU18N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU18N20 даташит

 ..1. Size:2347K  huashuo
 hsu18n20.pdf pdf_icon

HSU18N20

HSU18N20 N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 200 V The HSU18N20 is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, RDS(ON),max 170 m which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter ID 18 A applications. The HSU18N20 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS gua

Другие IGBT... HSU0048, HSU0115, HSU0139, HSU100P03, HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, HSU16N25, AO3400, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, HSU3016, HSU3018B, HSU3031, HSU3103, HSU3903