SSW5N80A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSW5N80A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO263

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SSW5N80A datasheet

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SSW5N80A

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SSW5N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:202K  1
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SSW5N80A

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