SSW5N80A Todos los transistores

 

SSW5N80A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSW5N80A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SSW5N80A datasheet

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SSW5N80A

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SSW5N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:202K  1
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SSW5N80A

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History: LP3401LT1G | STB23N80K5 | 2SK2553S | IXTH67N10MA

 

 
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