SSW5N80A - описание и поиск аналогов

 

SSW5N80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW5N80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW5N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW5N80A даташит

 ..1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N80A

 ..2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 9.1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N80A

Другие MOSFET... SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , STP80NF70 , SSW5N90A , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 .

History: STD10N10L-1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.