HSU6113 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU6113

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 31.3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 11.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 19.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 73 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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HSU6113 Datasheet (PDF)

0.1. hsu6113.pdf Size:2277K _huashuo

HSU6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 90 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -13 A The HSU6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

8.1. hsu6115.pdf Size:2267K _huashuo

HSU6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSU6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 25 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -35 A The HSU6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

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Liste

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