HSU6113 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSU6113 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSU6113
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU6113

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6113 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2277K  huashuo
 hsu6113.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 90 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -13 A The HSU6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 8.1. Size:2267K  huashuo
 hsu6115.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSU6115 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 25 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -35 A The HSU6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

Другие MOSFET... HSU6006 , HSU6008 , HSU6014 , HSU6032 , HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , TK10A60D , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 .

History: UTT6NP10L-TN4-R | JMSH1001NTLQ | JMTK60N04B | 10N50TF | 3N211 | JMSL0611PGD

 

 
Back to Top

 


 
.