HSU6113 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSU6113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU6113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6113 даташит

 ..1. Size:2277K  huashuo
 hsu6113.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 90 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -13 A The HSU6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 8.1. Size:2267K  huashuo
 hsu6115.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSU6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 25 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -35 A The HSU6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

Другие IGBT... HSU6006, HSU6008, HSU6014, HSU6032, HSU6040, HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, 13N50, HSU6115, HSU6901, HSU6903, HSU70P06, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15