HSU6113 - описание и поиск аналогов

 

HSU6113. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU6113

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU6113

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6113 даташит

 ..1. Size:2277K  huashuo
 hsu6113.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6113 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU6113 is the high cell density trenched P- VDS -60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 90 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -13 A The HSU6113 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 8.1. Size:2267K  huashuo
 hsu6115.pdf pdf_icon

HSU6113

HSU6115 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -60 V The HSU6115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON RDS(ON),max 25 m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -35 A The HSU6115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

Другие MOSFET... HSU6006 , HSU6008 , HSU6014 , HSU6032 , HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , 13N50 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.