HSU70P06 Todos los transistores

 

HSU70P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU70P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HSU70P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:817K  huashuo
 hsu70p06.pdf pdf_icon

HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DSThe HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A DThe HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A

 

 
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