HSU70P06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU70P06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de HSU70P06 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HSU70P06 datasheet

 ..1. Size:817K  huashuo
 hsu70p06.pdf pdf_icon

HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DS The HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typ and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A D The HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Otros transistores... HSU6040, HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, HSU6113, HSU6115, HSU6901, HSU6903, IRFB3607, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, HSW6800