HSU70P06 Todos los transistores

 

HSU70P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU70P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de HSU70P06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HSU70P06 datasheet

 ..1. Size:817K  huashuo
 hsu70p06.pdf pdf_icon

HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DS The HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typ and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A D The HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Otros transistores... HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , IRF1010E , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 .

 

 
Back to Top

 


 
.