HSU70P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU70P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 135 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 140 nC

Tiempo de elevación (tr): 206 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 494 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0092 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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HSU70P06 Datasheet (PDF)

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HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DSThe HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A DThe HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

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