HSU70P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU70P06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HSU70P06 MOSFET
HSU70P06 Datasheet (PDF)
hsu70p06.pdf

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DSThe HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A DThe HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio
Otros transistores... HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , IRF530 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 .
History: APT1002R4AN | IXFR30N50Q | IRFP330 | IXFR14N100Q2 | FSS923AOR | SM6F25NSU | HFW9N50
History: APT1002R4AN | IXFR30N50Q | IRFP330 | IXFR14N100Q2 | FSS923AOR | SM6F25NSU | HFW9N50



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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