HSU70P06 Todos los transistores

 

HSU70P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSU70P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 206 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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Principales características: HSU70P06

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HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DS The HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typ and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A D The HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

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History: IPB120N08S4-04

 

 
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