Справочник MOSFET. HSU70P06

 

HSU70P06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSU70P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 135 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 140 nC

Время нарастания (tr): 206 ns

Выходная емкость (Cd): 494 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0092 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU70P06

 

 

HSU70P06 Datasheet (PDF)

0.1. hsu70p06.pdf Size:817K _huashuo

HSU70P06
HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DSThe HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A DThe HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top