HSU70P06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSU70P06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 206 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 494 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSU70P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU70P06 даташит

 ..1. Size:817K  huashuo
 hsu70p06.pdf pdf_icon

HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DS The HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typ and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A D The HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Другие IGBT... HSU6040, HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, HSU6113, HSU6115, HSU6901, HSU6903, IRFB3607, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, HSW6800