Справочник MOSFET. HSU70P06

 

HSU70P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU70P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 206 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 494 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU70P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU70P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:817K  huashuo
 hsu70p06.pdf pdf_icon

HSU70P06

HSU70P06 P-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V -60 V DSThe HSU70P06 is the high cell density trenched P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON R 7.5 m DS(ON),typand gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I -70 A DThe HSU70P06 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full functio

Другие MOSFET... HSU6040 , HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , IRF530 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 .

History: 2SJ209 | IRF1404 | AOTS21319C | IRFB3077PBF | HFD5N65S | IXFT21N50F | IRF530NS

 

 
Back to Top

 


 
.