HSU80N03 Todos los transistores

 

HSU80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU80N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 115 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 84 nC

Tiempo de elevación (tr): 15 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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HSU80N03 Datasheet (PDF)

0.1. hsu80n03.pdf Size:452K _huashuo

HSU80N03
HSU80N03

HSU80N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 30 V The HSU80N03 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),TYP 4.9 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 80 A The HSU80N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

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