Справочник MOSFET. HSU80N03

 

HSU80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  huashuo
 hsu80n03.pdf pdf_icon

HSU80N03

HSU80N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 30 V The HSU80N03 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),TYP 4.9 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 80 A The HSU80N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... HSU60N02 , HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , AON7506 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 .

History: JCS740CC | GSM8987W | ZXMN3F31DN8 | ME1303AT3 | OSG60R1K2DF | SPB11N60S5 | IPB65R380C6

 

 
Back to Top

 


 
.