Справочник MOSFET. HSU80N03

 

HSU80N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSU80N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 84 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 360 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU80N03

 

 

HSU80N03 Datasheet (PDF)

0.1. hsu80n03.pdf Size:452K _huashuo

HSU80N03
HSU80N03

HSU80N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 30 V The HSU80N03 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),TYP 4.9 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 80 A The HSU80N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top