HSU80N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSU80N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSU80N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU80N03 даташит

 ..1. Size:452K  huashuo
 hsu80n03.pdf pdf_icon

HSU80N03

HSU80N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 30 V The HSU80N03 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),TYP 4.9 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 80 A The HSU80N03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие IGBT... HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, HSU6113, HSU6115, HSU6901, HSU6903, HSU70P06, AON7506, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, HSW6800, HSW6811