HSU90N02 Todos los transistores

 

HSU90N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU90N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 82 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO252

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HSU90N02 datasheet

 ..1. Size:1454K  huashuo
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HSU90N02

HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 7.1. Size:446K  huashuo
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HSU90N02

HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi

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