HSU90N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSU90N02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 82 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.1 V

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.004 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSU90N02

HSU90N02 Datasheet (PDF)

0.1. hsu90n02.pdf Size:1454K _huashuo

HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

7.1. hsu90n03.pdf Size:446K _huashuo

HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: