HSU90N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSU90N02  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSU90N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU90N02 даташит

 ..1. Size:1454K  huashuo
 hsu90n02.pdf pdf_icon

HSU90N02

HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 7.1. Size:446K  huashuo
 hsu90n03.pdf pdf_icon

HSU90N02

HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие IGBT... HSU60P02, HSU60P03, HSU6113, HSU6115, HSU6901, HSU6903, HSU70P06, HSU80N03, RFP50N06, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, HSW6604, HSW6800, HSW6811, HSW8205