Справочник MOSFET. HSU90N02

 

HSU90N02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSU90N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU90N02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU90N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1454K  huashuo
 hsu90n02.pdf pdf_icon

HSU90N02

HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

 7.1. Size:446K  huashuo
 hsu90n03.pdf pdf_icon

HSU90N02

HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi

Другие MOSFET... HSU60P02 , HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , IRLZ44N , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 .

History: NCEAP15ND10AG

 

 
Back to Top

 


 
.