SSW5N90A Todos los transistores

 

SSW5N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSW5N90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de SSW5N90A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSW5N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

Otros transistores... SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , 20N50 , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 .

 

 
Back to Top

 


 
.