SSW5N90A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SSW5N90A. Основные параметры


   Наименование производителя: SSW5N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW5N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW5N90A даташит

 ..1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

Другие MOSFET... SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , IRFP450 , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 .

History: IXTH14N100 | PDP0959 | IXFX90N20Q | 2SK2701A

 

 
Back to Top

 


 
.