Справочник MOSFET. SSW5N90A

 

SSW5N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW5N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW5N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW5N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

Другие MOSFET... SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , SSW4N90AS , SSW5N80A , IRF1407 , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 , STD12N05 , STD12N05-1 .

History: FQP4N90C | FDA032N08 | 2N6661SM

 

 
Back to Top

 


 
.