SSW5N90A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSW5N90A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSW5N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW5N90A даташит

 ..1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V 2 Low RDS(ON) 1.824 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

Другие IGBT... SSW3N80A, SSW3N90A, SSW4N60A, SSW4N80A, SSW4N80AS, SSW4N90A, SSW4N90AS, SSW5N80A, NCEP15T14, SSW6N70A, SSW7N60A, STD10N10-1, STD10N10L-1, STD10N10LT4, STD10N10T4, STD12N05, STD12N05-1