Справочник MOSFET. SSW5N90A

 

SSW5N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW5N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.9 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW5N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  1
 ssi5n90a ssw5n90a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.1. Size:215K  1
 ssi5n80a ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw5n80a.pdf pdf_icon

SSW5N90A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 800 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 800V2 Low RDS(ON) : 1.824 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LSH80R980GT | FHD15N10A | IPD50R280CE | SFN423P | FTK3401 | NDT6N70 | HGN040N06SL

 

 
Back to Top

 


 
.