HSU90N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSU90N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 115 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 80 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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HSU90N03 Datasheet (PDF)
hsu90n03.pdf
HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N-VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi
hsu90n02.pdf
HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab
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