HSU90N03 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HSU90N03. Основные параметры


   Наименование производителя: HSU90N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HSU90N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU90N03 даташит

 ..1. Size:446K  huashuo
 hsu90n03.pdf pdf_icon

HSU90N03

HSU90N03 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU90N03 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 3.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N03 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliabi

 7.1. Size:1454K  huashuo
 hsu90n02.pdf pdf_icon

HSU90N03

HSU90N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU90N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 2.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 90 A The HSU90N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliab

Другие MOSFET... HSU60P03 , HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , IRF530 , HSW2N15 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.