HSW2N15 Todos los transistores

 

HSW2N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSW2N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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HSW2N15 Datasheet (PDF)

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HSW2N15

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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