HSW2N15 Todos los transistores

 

HSW2N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW2N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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HSW2N15 datasheet

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HSW2N15

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DS The HSW2N15 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A D The HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Otros transistores... HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , CS150N03A8 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B .

History: 2SK1937-01

 

 

 


 
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