HSW2N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW2N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.56 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 1.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 8.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 5.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 33 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6L

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HSW2N15 Datasheet (PDF)

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HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

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