HSW2N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSW2N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de HSW2N15 MOSFET
HSW2N15 Datasheet (PDF)
hsw2n15.pdf

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Otros transistores... HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , IRLB4132 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B .
History: BUZ31H | FS20KM-5 | IRF40H233
History: BUZ31H | FS20KM-5 | IRF40H233



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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