HSW2N15 - аналоги и даташиты транзистора

 

HSW2N15 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HSW2N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для HSW2N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW2N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  huashuo
 hsw2n15.pdf pdf_icon

HSW2N15

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , IRLB4132 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B .

History: IPP06CN10LG | NDP708A | DMP4025LSS | DMP4025SFG | AP9977AGH-HF | AP3402GEH | TPD60R580C

 

 
Back to Top

 


 
.