Справочник MOSFET. HSW2N15

 

HSW2N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW2N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.56 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.4 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.3 nC

Время нарастания (tr): 5.8 ns

Выходная емкость (Cd): 33 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для HSW2N15

 

 

HSW2N15 Datasheet (PDF)

0.1. hsw2n15.pdf Size:561K _huashuo

HSW2N15 HSW2N15

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DSThe HSW2N15 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typgate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A DThe HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top