HSW2N15 - описание и поиск аналогов

 

HSW2N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSW2N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для HSW2N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW2N15 даташит

 ..1. Size:561K  huashuo
 hsw2n15.pdf pdf_icon

HSW2N15

HSW2N15 N-Ch 150V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 150 V DS The HSW2N15 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and R 380 m DS(ON),typ gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 1.4 A D The HSW2N15 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

Другие MOSFET... HSU6113 , HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , CS150N03A8 , HSW3415 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.