HSW3415 Todos los transistores

 

HSW3415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW3415

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 8 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 0.9 V

Carga de compuerta (Qg): 8.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 113 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.035 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6L

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HSW3415 Datasheet (PDF)

0.1. hsw3415.pdf Size:1071K _huashuo

HSW3415
HSW3415

HSW3415 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW3415 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 29 m converter applications. ID -5 A The HSW3415 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Super

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