HSW3415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSW3415  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HSW3415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW3415 даташит

 ..1. Size:1071K  huashuo
 hsw3415.pdf pdf_icon

HSW3415

HSW3415 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW3415 is the high cell density trenched P- VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 29 m converter applications. ID -5 A The HSW3415 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Super

Другие IGBT... HSU6115, HSU6901, HSU6903, HSU70P06, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, CS150N03A8, HSW4602, HSW6604, HSW6800, HSW6811, HSW8205, HSW8810, MMN1000DB010B, MMN200H010X