HSW3415 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HSW3415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для HSW3415
HSW3415 Datasheet (PDF)
hsw3415.pdf

HSW3415 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW3415 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 29 m converter applications. ID -5 A The HSW3415 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Super
Другие MOSFET... HSU6115 , HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , IRFP450 , HSW4602 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X .
History: S85N048S
History: S85N048S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor