Справочник MOSFET. HSW3415

 

HSW3415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW3415

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC

Время нарастания (tr): 9 ns

Выходная емкость (Cd): 113 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для HSW3415

 

 

HSW3415 Datasheet (PDF)

0.1. hsw3415.pdf Size:1071K _huashuo

HSW3415 HSW3415

HSW3415 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW3415 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 29 m converter applications. ID -5 A The HSW3415 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Super

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top