Справочник MOSFET. HSW3415

 

HSW3415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSW3415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 113 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW3415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1071K  huashuo
 hsw3415.pdf pdf_icon

HSW3415

HSW3415 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSW3415 is the high cell density trenched P-VDS -20 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 29 m converter applications. ID -5 A The HSW3415 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. Super

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DH025N08 | RF1K49093 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | AU5N65S

 

 
Back to Top

 


 
.