HSW4602 Todos los transistores

 

HSW4602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HSW4602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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HSW4602 Datasheet (PDF)

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HSW4602

HSW4602 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW4602 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 30m 4.5A cell density, which provide excellent RDSON and -30V 70m -3.5A gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSW4602 meet the RoHS and Green Product requir

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