HSW4602 Todos los transistores

 

HSW4602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW4602

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 8.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 96 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.03 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6

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HSW4602 Datasheet (PDF)

0.1. hsw4602.pdf Size:494K _huashuo

HSW4602
HSW4602

HSW4602 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW4602 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 30m 4.5A cell density, which provide excellent RDSON and -30V 70m -3.5A gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSW4602 meet the RoHS and Green Product requir

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