Справочник MOSFET. HSW4602

 

HSW4602 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HSW4602
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для HSW4602

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSW4602 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  huashuo
 hsw4602.pdf pdf_icon

HSW4602

HSW4602 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW4602 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 30m 4.5A cell density, which provide excellent RDSON and -30V 70m -3.5A gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSW4602 meet the RoHS and Green Product requir

Другие MOSFET... HSU6901 , HSU6903 , HSU70P06 , HSU80N03 , HSU90N02 , HSU90N03 , HSW2N15 , HSW3415 , IRFP250 , HSW6604 , HSW6800 , HSW6811 , HSW8205 , HSW8810 , MMN1000DB010B , MMN200H010X , FTB07N08N .

History: IRFS4228PBF | AFN1912

 

 
Back to Top

 


 
.