Справочник MOSFET. HSW4602

 

HSW4602 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HSW4602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8.4 nC

Время нарастания (tr): 2.4 ns

Выходная емкость (Cd): 96 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для HSW4602

 

 

HSW4602 Datasheet (PDF)

0.1. hsw4602.pdf Size:494K _huashuo

HSW4602
HSW4602

HSW4602 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW4602 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with high 30V 30m 4.5A cell density, which provide excellent RDSON and -30V 70m -3.5A gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The HSW4602 meet the RoHS and Green Product requir

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top