HSW6604 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW6604  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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HSW6604 datasheet

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HSW6604

HSW6604 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6604 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 38m 4A high cell density, which provide excellent RDSON -20V 64m -3A and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The HSW6604 meet the RoHS and Green Product

Otros transistores... HSU6903, HSU70P06, HSU80N03, HSU90N02, HSU90N03, HSW2N15, HSW3415, HSW4602, AON7410, HSW6800, HSW6811, HSW8205, HSW8810, MMN1000DB010B, MMN200H010X, FTB07N08N, FTP02N04NA