HSW6604 Todos los transistores

 

HSW6604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HSW6604

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.1 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 20 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 12 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 1.2 V

Carga de compuerta (Qg): 2.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 3.1 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 49 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.048 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6

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HSW6604 Datasheet (PDF)

0.1. hsw6604.pdf Size:605K _huashuo

HSW6604
HSW6604

HSW6604 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6604 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 38m 4A high cell density, which provide excellent RDSON -20V 64m -3A and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The HSW6604 meet the RoHS and Green Product

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