HSW6604 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HSW6604
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 2.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HSW6604
HSW6604 Datasheet (PDF)
hsw6604.pdf
HSW6604 N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSW6604 is the high performance BVDSS RDSON ID complementary N-ch and P-ch MOSFETs with 20V 38m 4A high cell density, which provide excellent RDSON -20V 64m -3A and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The HSW6604 meet the RoHS and Green Product
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Liste
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